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                  技術(shù)文章您的位置:網(wǎng)站首頁 >技術(shù)文章 >集成電路制造工藝

                  集成電路制造工藝

                  更新時(shí)間:2020-10-19   點(diǎn)擊次數(shù):2038次

                  芯片廠中通常分為擴(kuò)散區(qū)、光刻區(qū)、刻蝕區(qū)、離子注入?yún)^(qū)、薄膜生長區(qū)和拋光區(qū)6個(gè)生產(chǎn)區(qū)域:

                  ?擴(kuò)散區(qū)是進(jìn)行高溫工藝及薄膜積淀的區(qū)域,主要設(shè)備是高溫爐和濕法清洗設(shè)備;

                  ②光刻區(qū)是芯片制造的心臟區(qū)域,使用黃色熒光管照明,目的是將電路圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上;  

                  ③刻蝕工藝是在硅片上沒有光刻膠保護(hù)的地方留下的圖形;

                  ④離子注入是用高壓和磁場來控制和加速帶著要摻雜的雜質(zhì)的氣體;高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面,形成目標(biāo)硅片;

                  ⑤薄膜生長主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)各個(gè)步驟中的介質(zhì)層與金屬層的淀積。

                  ⑥拋光,即CMP(化學(xué)機(jī)械平坦化)工藝的目的是使硅片表面平坦化。

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